德比斯和张雪机车仍排总榜第三

‘호르무즈 화재’ HMM 나무호 이틀째 정밀 조사…기관실 발화 원인 규명 총력_蜘蛛资讯网

今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设

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发布时间：08:43:57